Samsung, один из крупнейших в мире производителей памяти, оповестила общественность о новом достижении в своей копилке — она стала первой компанией в отрасли, поставившей первые образцы памяти HBM4E.
Новое поколение HBM изготавливается по передовой технологической норме DRAM 1c шестого поколения, при этом кристалл логики полагается на 4-нм техпроцесс, насчитывает 12 слоёв, получило объём 48 Гбайт и скорость работы 14 Гбит/с с будущим увеличением до 16 Гбит/с. Объём тоже будет меняться ближе к наращиванию производства: обещаются варианты с 8 и 16 слоями, вмещающими 32 и 64 Гбайта данных.
В новом поколении работяги поработали над улучшением энергоэффективности и теплоотводом, благодаря чему стеки стали потреблять на 16% меньше энергии и на 14% лучше избавляются от лишнего тепла. У SK hynix, кстати, тоже ведётся разработка в области отвода тепла, и там результат более привлекательный.
«После успешного запуска серийного производства HBM4 компания Samsung в очередной раз продемонстрировала своё явное технологическое превосходство с HBM4E. Благодаря нашим передовым производственным возможностям и упреждающим инвестициям в инфраструктуру мы продолжим стимулировать рост мирового рынка памяти для искусственного интеллекта».